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一种太赫兹相位主动调制器件及其调制系统，其中，所述太赫兹相位主动调制器件包括：基底、Cu2Se薄膜层和金属谐振环；所述基底在太赫兹波段具有预设的通透率；所述Cu2Se薄膜层形成在所述基底上；所述金属谐振环形成在所述Cu2Se薄膜层上，所述金属谐振环具有周期对称性结构，所述金属谐振环采用超材料制成，能够调制太赫兹波的相位。所述Cu2Se薄膜层在98.85℃‑126.85℃范围能够发生二级相变，并且处于二级相变的相变点126.85℃时热导率最低，使热量集中于所述金属谐振环边沿进而增强表面等离激元效应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215678837 U
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202121905714.9
(22)申请日 2021.08.13
(73)专利权人 深
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