有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置.pdfVIP

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2023-04-14 发布于四川
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有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置.pdf

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本实用新型公开了有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置，包括保温筒、坩埚和保温盖，还包括避免杂质影响设备损坏的过滤结构、便于观察晶体生长的观察结构和保证晶体生长质量的抑制结构，所述保温筒内部底端的中间位置处安装有坩埚，且坩埚的内部设置有保护层，所述坩埚下方的保温筒内部底端设置有热电偶，且保温筒内部的下端等角度安装有加热器，所述观察结构设置在保温筒一侧的上端，所述保温筒另一侧的上端开设有换气管，且过滤结构设置在换气管的内部，所述保温筒的顶端设置有保温盖。本实用新型通过设置可调节的保温筒，使得后续抽真空速

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215668280 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202120460762.5 (22)申请日 2021.03.03 (73)专利权人珠