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一种复合半导体衬底.pdfVIP

一种复合半导体衬底.pdf

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    本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种复合半导体衬底，包括：高掺杂SiC基底，用于降低电流损耗；低掺杂SiC转移层，用于作为SiC外延层的生长基底；键合界面层，设置在所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层之间，用于键合所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层。本实用新型通过采用基于键合剥离转移技术的高掺杂‑低掺杂复合半导体衬底，在能够使用高掺杂的SiC基底材料降低器件导通损耗的前提下，通过在高掺杂SiC基底材料上方引入低掺杂SiC转移层，解决了传统高掺杂SiC衬底在生长外延时难

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215680607 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202121722381.6 (22)申请日 2021.07.27 (73)专利权人 北京青禾晶元半导体科技有限责

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