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- 2023-04-14 发布于四川
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本发明公开了一种CMOS片内三维结构的形成方法，包括：在硅衬底上形成环状突起的单晶硅种子层区域；在非种子层区域形成第一层CMOS晶体管；形成第一层层间介质层，并使单晶硅种子层区域露出；在第一层层间介质层上覆盖一多晶硅层，并使两者的表面平齐；加热使多晶硅层熔融并再结晶，利用围绕多晶硅的单晶硅，使多晶硅转变为单晶硅，形成单晶硅层；在单晶硅层上形成第二层CMOS晶体管；形成第二层层间介质层；形成第一层CMOS晶体管和第二层CMOS晶体管之间的互连。本发明能够增加片内CMOS晶体管的密度，减少所需的互连
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111584498 A
(43)申请公布日
2020.08.25
(21)申请号 20201
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