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微沟槽IGBT.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于北京
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微沟槽IGBT.pdf

    本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215731728 U (45)授权公告日 2022.02.01 (21)申请号 202121414363.1 (22)申请日 2021.06.24 (73)专利权人 江苏宏微科技股份有限公司

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