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三相全桥功率集成MOSFET模块.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于北京
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三相全桥功率集成MOSFET模块.pdf

    本实用新型提供一种三相全桥功率集成MOSFET模块，包括：塑封体，设置于塑封体内的功率管、基岛及设置于塑封体边缘的管脚；其中，各功率管的源极和栅极通过打线的方式连接至基岛，漏极与对应基岛电连接；通过六个功率管的电连接实现三相全桥结构。本实用新型避免将引脚上的应力传导到功率管裸片上，引线的热膨胀系数与功率管裸片的表面金属相同或相近，降低器件的失效率；集成度高，成品整体尺寸小，也减小散热片体积，有利于控制控制器体积，降低结构件成本；缩短功率管裸片各极到外露引脚的导线长度，有利于减小寄生电感，进而提升

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215731698 U (45)授权公告日 2022.02.01 (21)申请号 202121390488.5 H01L 23/367 (2006.01) (22)申请日

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