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- 2023-04-15 发布于北京
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本发明公开了一种面向存内计算的存储器阻值校准方法,属于半导体和存内计算技术领域。该方法利用存内计算网络的特性,针对新型存储器器件的两种不同电阻变化特性,设置参考列器件全部为HRS或LRS时,在工作列输出电流中减去大部分来自于HRS或LRS的误差电流,得到校正电流,再通过参考电阻最终输出矫正后的电压信号。利用本发明提供的方法,将不同阻值‑温度关系的新型存储器交叉点阵中器件的阻值得到矫正,从而保障基于新型存储器的存内计算芯片在广泛环境温度下的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115841841 A
(43)申请公布日 2023.03.24
(21)申请号 202211554400.8
(22)申请日 2022.12.06
(71)申请人 北京大学
地址 100871 北京
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