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- 2023-04-15 发布于北京
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本实用新型提供了一种碳化硅二极管结构,包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极、肖特基势垒层、P型分压环、N型截止环、复合终端钝化层、欧姆接触层以及背面电极；背面电极、欧姆接触层、碳化硅衬底从下往上依次叠加，N型截止环位于P型分压环的外侧；肖特基势垒层和正面电极在碳化硅外延层的上表面从下往上依次叠加，复合终端钝化层设置在碳化硅外延层的上表面，复合终端钝化层将正面电极半包围。通过带有阻挡缓冲层的双层碳化硅外延，减少了碳化硅衬底的缺陷，通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，能够减少器件边
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731735 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121444412.6
(22)申请日 2021.06.28
(73)专利权人 淄博绿能芯创电子科技有限公司
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