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- 2023-04-16 发布于四川
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本实施方式的半导体制造装置具备：供基板载置的腔室；用于向腔室内供给第一处理气体的第一气体流路；用于向腔室内供给第二处理气体的第二气体流路；用于向腔室内供给第一置换气体的第一置换气体流路；对第一置换气体进行加热的置换气体加热部；用于向腔室内供给第二置换气体的第二置换气体流路；以及对第二置换气体进行冷却的置换气体冷却部。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115838920 A
(43)申请公布日 2023.03.24
(21)申请号 202210184976.3
(22)申请日 2022.02.28
(30)优先权数据
2021-153476 202
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