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三元前驱体及其制备方法,三元正极材料以及用电装置.pdfVIP

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  • 2023-04-16 发布于四川
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三元前驱体及其制备方法,三元正极材料以及用电装置.pdf

    本申请涉及一种三元前驱体，所述三元前驱体的一次颗粒或晶须沿径向分布；所述三元前驱体的晶体形变层错率fD≤2.5％，所述晶体形变层错率fD如下式计算:fD＝0.1552×B(101)–0.03233×B(102)–0.4399/D(001)，其中，B(101)是所述三元前驱体101晶面的X射线衍射谱半峰宽，B(102)是所述三元前驱体102晶面的X射线衍射谱半峰宽，D(001)是所述三元前驱体001晶面的X射线衍射谱半峰宽，单位：度。本申请还涉及一种三元前驱体的制备方法，以及三元正极材料、二次电池

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115838189 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202111102796.8 (22)申请日 2021.09.18 (71)申请人 宁德时代新能源科技

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