一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件.pdfVIP

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2023-04-17 发布于四川
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一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件.pdf

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本实用新型的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，设有有源区及其外围的终端区，有源区包括第一导电类型衬底及其上方的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面设置有沟槽，相邻沟槽之间外延层的表面设有第二导电类型体区，其表面设有第一导电类型源区，沟槽与第一导电类型源区的上方设有第二类绝缘介质，其上方设有通过通孔与第一导电类型源区、第二导电类型体区欧姆接触的源极金属，在俯视平面上，有源区内至少设有一块高雪崩耐量区，高雪崩耐量区与有源区的不同在于：第一导电类型外延层的底部设有第一导电类型阱区，第二导电类

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215771158 U (45)授权公告日 2022.02.08 (21)申请号 202122129409.1 (22)申请日 2021.09.06 (73)专利权人无锡新洁能股份有限公司