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- 2023-04-17 发布于四川
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本实用新型提供一种具有隔离结构的集成式芯片，集成式芯片包括沿纵向布置的衬底和外延结构。外延结构包括层间电介质(ILD)层，隔离区将集成式芯片分成沿横向布置的第一半导体器件区和第二半导体器件区。衬底包括N型区和P型区，N型区与P型区之间形成两个PN结，两个PN结分别位于第一半导体器件区和第二半导体器件区。外延结构内开设有纵向延伸的三个穿玻通孔。第一穿玻通孔内设有隔离介质，第一穿玻通孔在纵向上穿过ILD层并向下延伸至衬底的底层内。第一源极通过第一电气互连件与衬底的外延层电连接，第二漏极和第一源极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215815878 U
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202120980267.7
(22)申请日 2021.05.08
(73)专利权人 英诺赛科（珠海）科技有限公司
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