第1章半导体器件.pptVIP

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2023-04-21 发布于山东
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第1章半导体器件.ppt

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第一章常用半导体器件;§1.1 半导体导电特性;3. 半导体; 本征半导体;2.本征半导体的共价键结构;3. 电子与空穴;电子与空穴;电子与空穴的复合;空穴的移动;1.1.3 杂质半导体;1. N型半导体;2. P型半导体;3. 杂质对半导体导电性的影响;本节中的有关概念;1.2 PN结和半导体二极管;1. PN结的形成;PN结的形成;PN结的形成;2. PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况;2. PN结的单向导电性; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;（3） PN结的伏安特性;3. PN结方程;PN结方程;4. PN结的击穿特性;5 . PN结的电容效应;1.3 半导体二极管;半导体二极管图片;1.3.1 半导体二极管的结构类型;二极管的结构;1.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线; 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ; 当V＜0时，即处于反向特性区域;反向特性;1.3.3 半导体二极管的参数;半导体二极管的参数;二极管基本应用;理想模型;二极管基本应用;二极管基本应用;1.3.4 稳压二极管;1.2.4.1 稳压二极管参数;稳压二极管参数;稳压管应用;1.2.4.2 稳压管应用第一章常用半导体器件;§1.1 半导体导电特性;3. 半导体; 本征半导体;2.本征半导体的共价键结构;3. 电子与空穴;电子与空穴;电子与空穴的复合;空穴的移动;1.1.3 杂质半导体;1. N型半导体;2. P型半导体;3. 杂质对半导体导电性的影响;本节中的有关概念;1.2 PN结和半导体二极管;1. PN结的形成;PN结的形成;PN结的形成;2. PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况;2. PN结的单向导电性; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;（3） PN结的伏安特性;3. PN结方程;PN结方程;4. PN结的击穿特性;5 . PN结的电容效应;1.3 半导体二极管;半导体二极管图片;1.3.1 半导体二极管的结构类型;二极管的结构;1.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线; 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ; 当V＜0时，即处于反向特性区域;反向特性;1.3.3 半导体二极管的参数;半导体二极管的参数;二极管基本应用;理想模型;二极管基本应用;二极管基本应用;1.3.4 稳压二极管;1.2.4.1 稳压二极管参数;稳压二极管参数;稳压管应用;1.2.4.2 稳压管应用