GGNMOS静电防护器件.pdfVIP

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2023-04-18 发布于北京
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GGNMOS静电防护器件.pdf

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本实用新型实施例提供一种GGNMOS静电防护器件，包括：P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱；第一N型深阱、第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区；第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，第一NMOS的漏区被加宽；第一N型深阱、第二N型深阱以及第一N+注入区、第四N+注入区与N型埋层构成N型隔离带；P型半导体衬底与第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，第一NMOS的漏区与第一N型深阱、第二N型深阱上的第一N+注入区、第四

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215815876 U (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202121550553.6 (22)申请日 2021.07.08 (73)专利权人湖