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本实用新型涉及一种颗粒硅直接用于CCZ直拉法制备单晶硅的装置,包括单晶炉及颗粒硅加料装置,单晶炉包括炉体,炉体中设石英坩埚,石英坩埚外设第一加热器,石英坩埚上方设导流筒,炉体内设保温筒,保温筒包括上保温筒及下保温筒,上保温筒上设有石墨大盖,导流筒装配在石墨大盖的通孔内,导流筒内设有水冷屏,下保温筒下设护底压板,炉体的底端设加热电极,炉体内还设有熔料坩埚、物料管道、第二加热器及气固旋风分离器,颗粒硅加料装置包括颗粒硅料筒、石英料管、进气口及出气口,石英料管通过送料管道及阀门与气固旋风分离器连接;通
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215856443 U
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202121997451.9 C30B 29/06 (2006.01)
(22)申请日 2
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