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本实用新型公开了一种半导体晶圆刻蚀装置,涉及半导体晶圆生产加工技术领域,针对在晶圆刻蚀的涂覆光刻胶过程中,由于胶体具有一定的流动性,仅让其自然滴落到晶片表面,覆盖均匀度无法保证,容易影响晶圆光刻及刻蚀的质量的问题,现提出如下方案,其包括刻蚀箱,所述刻蚀箱的底部内壁上固定设置有步进电机,且所述步进电机的输出轴上固定连接有载晶盘,所述载晶盘的顶部开设若干个结构相同的置晶槽,所述刻蚀箱的顶部内壁上固定设置有三个结构相同的主伸缩杆,且三个所述主伸缩杆的底端均固定连接有安装块。本实用新型结构新颖,实现了对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215896323 U
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202122018003.6
(22)申请日 2021.08.25
(73)专利权人 无锡圆诺电子科技有限公司
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