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具有表面保护层的半导体元件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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具有表面保护层的半导体元件及其制造方法.pdf

    本发明公开一种具有表面保护层的半导体元件及其制造方法，其中该具有表面保护层的半导体元件包括一半导体元件以及一表面保护层。该半导体元件具有金属焊垫，该半导体元件是形成于一半导体基板之上。表面保护层是形成于该半导体元件之上并且露出该金属焊垫。本发明的表面保护层可以防止半导体元件在后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染所造成的半导体元件损坏。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889842 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202010633624.2 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人 华星光通科技股份有限公司

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