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- 2023-04-21 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成鳍部结构，鳍部结构包括交替位于衬底上的第一鳍部层和第二鳍部层，且在最底层的第一鳍部层和第二鳍部层之间具有牺牲层；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽，第一凹槽底部暴露出最底层的第一鳍部层的表面；在第一凹槽侧壁上形成第一侧墙；沿第一凹槽刻蚀最底层的第一鳍部层以及部分厚度的衬底，在最底层的第一鳍部层和衬底内形成第二凹槽；刻蚀去除剩余的最底层的第一鳍部层至暴露出衬底表面；在衬底表面和第二凹槽内形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903666 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010642702.5
(22)申请日 2020.07.06
(71)申请人 中芯
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