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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113889537 B
(45)授权公告日 2022.03.04
(21)申请号 202111482363.X (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限
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