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碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法.pdf

    碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113892189 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202080039260.3 村田晃一　小山皓洋　中山浩二　

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