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- 2023-04-21 发布于四川
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本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的第一器件区域中，在突出高于衬底的第一鳍之上形成第一纳米结构；在半导体器件的第二器件区域中，在突出高于衬底的第二鳍之上形成第二纳米结构，其中，第一纳米结构和第二纳米结构包括半导体材料并且平行于衬底的上表面延伸；在第一纳米结构周围并且在第二纳米结构周围形成电介质材料；在第一器件区域中在第一纳米结构周围并且在第二器件区域中在第二纳米结构周围形成第一硬掩模层；在形成第一硬掩模层之后，从第二器件区域去除第一硬掩模
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889435 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110326123.4 H01L 27/088 (2006.01)
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