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- 2023-04-21 发布于四川
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提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含体施主；以及氢增加部，其氢化学浓度从上表面朝向下表面单调地增加，氢增加部遍及半导体基板的深度方向上的厚度的30％以上而设置，氢增加部的施主浓度高于体施主浓度。半导体装置可以通过从半导体基板的上表面向半导体基板的内部的预定的第一注入位置注入氢离子，对半导体基板的下表面进行研磨而除去存在氢的区域的一部分，并对半导体基板进行热处理来制造。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113892185 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202080039220.9 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限
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