CMOS图像传感器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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CMOS图像传感器及其制作方法.pdf

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本申请属于半导体技术领域，涉及一种CMOS图像传感器及其制作方法，其中，CMOS图像传感器包括外围逻辑区和像素区，外围逻辑区与像素区均包括衬底及位于衬底上的多层金属层，像素区的金属层高度与外围逻辑区的金属层高度一致，且像素区的多层金属层中包括用作结构补偿的虚拟金属层。因此，本申请中的CMOS图像传感器增加了虚拟金属层使得像素区的金属层高度和外围逻辑区的金属层高度一致，从而使得CMOS图像传感器的应力分布均匀，暗电流变小，进而能够改善高温条件下得到的图像的边缘存在阴影的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903754 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202010640597.1 (22)申请日 2020.07.06 (71)申请人思特威（上海）电子科技股份有限公