用于形成半导体结构的方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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用于形成半导体结构的方法.pdf

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本公开涉及一种用于形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成具有在第一方向上延伸的第一线特征和第二线特征的图案。在衬底上沉积光致抗蚀剂层以覆盖图案之后，对光致抗蚀剂层进行图案化以形成包括第一切割特征和第二切割特征的切割图案，该第一切割特征和第二切割特征分别暴露第一线特征和第二线特征的部分。在俯视图中，第一切割特征和第二切割特征中的至少一者相对于相应第一线特征或第二线特征的中心轴被不对称地布置。执行至少一个倾斜离子注入以在垂直于第一方向的至少一个方向上扩大第一切割特征和第二切割特征。然后去除分别被第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948370 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202110475823.X (22)申请日 2021.04.29 (30)优先权数据 63/085,54