集成芯片及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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集成芯片及其形成方法.pdf

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本发明涉及集成芯片。集成芯片可以包括具有限定多个鳍的侧壁的半导体衬底。介电材料布置在多个鳍之间，并且栅极结构设置在介电材料上方和多个鳍周围。外延源极/漏极区域设置为沿栅极结构的相对侧，并且分别包括设置在多个鳍上的多个源极/漏极段以及设置在多个源极/漏极段上和之间的掺杂外延材料。多个源极/漏极段中的第一源极/漏极段在相反的方向上超过多个鳍中的下面的第一鳍的相对侧横向延伸至不同距离。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948509 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202110652202.4 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据