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- 2023-04-22 发布于四川
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本发明揭示了一种AMR磁阻结构及惠斯通电桥，所述AMR磁阻结构包括：第一电阻、第三电阻；所述第一电阻包括若干第一半圆环磁阻条、若干第二半圆环磁阻条；所述第三电阻包括若干第三半圆环磁阻条、若干第四半圆环磁阻条；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条具有相同的圆心；各第一半圆环磁阻条、各第二半圆环磁阻条、各第三半圆环磁阻条及各第四半圆环磁阻条形成若干依次排列的、半径大小不一的圆环。本发明提出的AMR磁阻结构及惠斯通电桥，可提高AMR的匹配性，减少芯片面积，同时
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113933768 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111067618.6
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 深圳麦歌恩科技有限公司
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