半导体结构及其制备工艺.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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半导体结构及其制备工艺.pdf

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本发明提供了一种半导体结构，包括由衬底、若干底部图形结构和填充层构成的底部结构：所述若干底部图形结构设置于所述衬底，包括若干底部高图形部和若干底部低图形部；填充层，覆盖所述衬底的顶面以及所述若干底部低图形部的顶面，并填充所述若干底部低图形部和所述若干底部高图形部中任意两个图形部之间的空间，以调节图形密度；任意一个所述底部低图形部的高度低于任意一个所述底部高图形部的高度，相邻两个所述底部高图形部中间设置有至少一个所述底部低图形部，能够抑制所述填充层中晶粒的长大，从而改善表面的平坦度。本发明还提供了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948570 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111199257.0 (22)申请日 2021.10.14 (71)申请人上海集成电路研发中心有限公司