实心焦平面探测器的制备方法及实心焦平面探测器.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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实心焦平面探测器的制备方法及实心焦平面探测器.pdf

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本发明涉及一种实心焦平面探测器的制备方法及实心焦平面探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；采用通孔工艺制备互连柱；在互连柱上方沉积第二金属互连层并刻蚀第二金属互连层成图形化电极结构，以形成梁结构和部分吸收板，沉积第二介质层，并刻蚀第二介质层成图形化介质层，以形成吸收板，所述第二介质层为热敏感介质层。通过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113945285 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111191845.X (22)申请日 2021.10.13 (71)申请人北京北方高业科技有限公司