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- 2023-04-22 发布于四川
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本发明提供了一种半导体衬底的处理方法、浅沟槽隔离结构及其制作方法。该半导体衬底的处理方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底的表面覆盖多晶半导体材料和/或非晶半导体材料，形成中间层；将中间层氧化形成氧化层。由于上述中间层是通过多晶半导体材料和/或非晶半导体材料形成的，从而通过上述中间层能够消除半导体衬底表面的晶向差异，在采用该中间层形成氧化层后，能够使得对应不同晶面的半导体衬底上的氧化层厚度更为均匀，满足后续工艺对均匀性的要求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113937057 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111163812.4
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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