一种石墨烯场致发射源的制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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一种石墨烯场致发射源的制备方法.pdf

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本发明的目的在于提供一种石墨烯场致发射源的制备方法，本方法通过高温将含碳气体中的碳原子溶解到金属材料之中，通过阶段性降温的过程将碳析出到金属表面形成石墨烯层，并且对碳源浓度和降温过程的控制可以实现对石墨烯层厚度与规模的控制，石墨烯与其金属基底结合更加的紧密，两者之间电阻远小于通过转移后制备的发射体，在大电流通过结合部位时发热量更小，同时发射尖端露出的金属基底可以有效接收靶材反射的二次电子等，减少石墨烯发射尖端由于电子或离子回轰造成的损伤。在使用本方法制备的石墨烯场致发射源可以有效的提高阴极的发射

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113943932 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111198934.7 C23C 8/20 (2006.01)