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本发明提供了一种基于SOT‑MRAM的读写方法、读写电路及SOT‑MRAM。该读写方法包括：向SOT层通入写电流，以翻转磁性隧道结中自由层的磁化方向，使自由层与参考层的磁化方向处于平行态或反平行态；读取磁性隧道结的电容值；根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是处于第二状态。通过读取磁性隧道结的电容值，并根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是第二状态，实现对存储单元内的数据“0”和“1”的识别读取。采用磁电容式的SOT‑MRAM，对MTJ的生长条件、材料选择以及读取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948129 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111206952.5
(22)申请日 2021.10.15
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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