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本发明公开了一种晶体硅纳米片薄膜光电极及其制备方法，其是由导电玻璃和沉积在导电玻璃表面的晶体硅纳米片薄膜组成，该薄膜是以晶体硅颗粒为原料、以乙醇为溶剂、以聚乙烯吡咯烷酮为添加剂，通过超声剥离和电泳沉积两步制成。本发明的操作流程简单、原材料和设备成本低廉，且所得晶体硅纳米片薄膜光电极与已有的硅基光电极相比，具有完全不同的形貌结构特征，在模拟太阳光照射下表现出较好的光电流响应性能，是一种全新的光电催化材料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113941320 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111210340.3
(22)申请日 2021.10.18
(71)申请人 合肥工业大学
地址
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