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存储器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于四川
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存储器及其制造方法.pdf

    本申请实施例提供一种存储器及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和栅电极层；其中，所述存储器具有贯穿所述堆叠结构的栅缝隙；所述栅电极层通过所述栅缝隙侧壁和底部的导电材料连通；在所述栅缝隙的侧壁和底部覆盖绝缘材料；去除部分所述绝缘材料和位于所述栅缝隙底部以及至少部分侧壁的所述导电材料；去除剩余所述绝缘材料；去除所述栅缝隙侧壁和底部的所述导电材料，形成相互分离的所述栅电极层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937104 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111115804.2 (22)申请日 2021.09.23 (71)申请人 长江

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