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一种自旋电子异质结及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于北京
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一种自旋电子异质结及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种自旋电子异质结及其制备方法，其中，制备方法包括步骤：在单晶衬底上制备Tm3Fe5O12薄膜；在所述Tm3Fe5O12薄膜上溅射Cu层，制得Cu/Tm3Fe5O12异质结；将所述Cu/Tm3Fe5O12异质结放置在空气中进行自然氧化，制得CuOx/Tm3Fe5O12异质结，其中，x大于0小于1。本发明利用Cu的自然氧化形成CuOx，也能产生自旋霍尔效应，且自旋轨道力矩转化效率与Pt相当的原理，制得的CuOx/Tm3Fe5O12异质结具有垂直磁各向异性，且Cu的自然氧化能够增强自旋轨

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948632 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111211889.4 (22)申请日 2021.10.1

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