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- 2023-04-22 发布于北京
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本发明公开了一种FinFET的阈值电压调节方法，包括：步骤一、提供完成了第零层层间膜的化学机械研磨工艺的半导体衬底，半导体衬底上包括核心区和输入输出区；半导体衬底上形成有鳍体、浅沟槽隔离介质层、第一栅介质层和多晶硅伪栅，在输入输出区中，第一栅介质层直接作为输入输出FinFET的栅介质层；步骤二、将核心区的多晶硅伪栅去除；步骤三、进行阈值电压调节注入；在核心区，阈值电压调节注入穿过鳍体的顶部部分顶部的第一栅介质层；去除第一光刻胶图形，在输入输出区中第一栅介质层被保护；步骤四、对阈值电压调节注入的杂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948395 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111097919.3
(22)申请日 2021.09.18
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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