PVT对于芯片性能的影响.pdfVIP

PVT对于芯⽚性能的影响 P：Process V：Voltage T：Temperature 1.⼯艺⾓-process corner 不同的晶⽚和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围⽐较⼤。为减轻设计困难度，需要将器件性能限 制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯⽚，来严格控制预期的参数变化。⼯艺⾓即为这个性能范围。 1.2 5-Corner model TT：nmos -Typical corner pmos -Typical corner FF：nmos -Fast corner pmos -Fast corner SS：nmos -slow corner pmos -slowl corner FS：nmos -Fast corner pmos -slow corner SF：nmos -slowl corner pmos -fast corner 注：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是⼀个平均值； Fast是指晶体管驱动电流是最⼤值； Slow是指晶体管驱动电流是最⼩值。 2. PVT 除了⼯艺⾓外，还有电压、温度和最好/坏的情况等条件才组合成PVT(Process、Voltage、Temperature)条件。 电压：1V+10% ,1V ,1V-10% 温度：-40C , 0C, +25C, 125C 时序分析中： 最好的条件（Best Case）——速度最快的情况； 最坏的条件（Worst Case）——速度最慢的情况； 2.1 PVT组合 会依据仿真需求，使⽤不同的PVT组合， ——以⽤于STA分析。 WCS(Worst Case Slow):slow process,high temperature,lowest voltageWCS TYP(Typical):typical process,nominal temperature,nominal voltageTYP BCF(Best Case Fastl):fastl process,lowest temperature,high voltageBCF WCL(Worst Case @coldl):slowl process,lowest temperature,lowestl voltageWCL ——以⽤于功耗分析 ML(Maximal Leakage):fast process,high temperature,high voltageML TL(Typical Leakage):typical process,high temperature,nominal voltageTL ——另⼀组合条件：Scenarios Scenarios=Interconnect + operation mode + PVT 1.内连线情况：Interconnect corner 即制造对互连线的影响；R_typical C_typical；R_maxl C_max；R_minl C_min；R_maxl C_min； 2.⼯作模式：function mode ，scan mode, sleep mode, standby mode, active mode 对多种Scenarios的综合分析，称之为MMMCMMMC (Multi-Mode Multi-Corner)分析。 OCV (On-chip Variation) OCV可⽤来描述PVT在单个芯⽚所造成的影响。 温度反转效应