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本申请公开一种增强型射频开关及其制备方法。本申请提供的一种增强型射频开关器件，从衬底的上表面射频开关器件包括以第一掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的半导体衬底，以及从衬底的上表面垂直延伸并与所述衬底相连形成的台面。所述台面包括以第二掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的漂移区，第二掺杂浓度水平小于第一掺杂浓度水平。所述台面形成射频开关器件中的主要电流传导路径。所述射频开关元件还包括绝缘层，设置在衬底的至少一部分上表面和台面的侧壁上，以及设置在绝缘层上表面的至少一部分上的至少一个栅极，栅极至少
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921520 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202111168228.8
(22)申请日 2021.09.29
(71)申请人 力来托半导体(上海)有限公司
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