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公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:基底;第一导线,位于基底上并沿平行于基底的上表面的第一方向延伸;第二导线,沿与第一方向相交的第二方向延伸;存储器单元,位于第一导线与第二导线之间,并且包括顺序地堆叠在第一导线上的下电极图案、数据存储元件、中间电极图案、开关元件和上电极图案;以及侧壁间隔件,位于存储器单元的侧表面上,其中,存储器单元的侧表面包括在开关元件的侧表面处的第一凹入部分,并且侧壁间隔件包括位于上电极图案的侧表面上的第一部分以及位于第一凹入部分上的第二部分,第二部分比第一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948545 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110788671.9
(22)申请日 2021.07.13
(30)优先权数据
10-2020-0
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