1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.88万字
  • 约 14页
  • 2023-04-22 发布于四川
  • 举报

表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用.pdf

    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种表面等离子体共振传感器及其制备方法和应用，该表面等离子体共振传感器包括表面等离子体共振芯片和贵金属‑ssDNA复合物，表面等离子体共振芯片包括第一贵金属基体和结合在第一贵金属基体上的硼烯层，贵金属‑ssDNA复合物结合在表面等离子体共振芯片上，且贵金属‑ssDNA复合物包括第二贵金属基体和结合在第二贵金属基体上的ssDNA；由于该表面等离子体共振传感器具有第一贵金属‑硼烯‑第二贵金属相互耦合的表面等离子体共振效应，因此，该等离子体共振传感器具有高灵敏度，可用于

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113930483 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111070929.8 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 中国科学院深圳先进技术研究院

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >