高压MOS管及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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高压MOS管及其制造方法.pdf

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本发明提供一种高压MOS管的制造方法，包括：提供一衬底，其中形成有浅沟道隔离结构，并且其表面还形成有衬垫氧化层；形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层、所述衬垫氧化层、所述浅沟道隔离结构和所述衬底以在所述浅沟道隔离结构和所述衬底中得到台阶式沟槽以及在所述台阶式沟槽中形成栅氧化层。本申请通过同时刻蚀高压器件区域的衬底和浅沟道隔离结构形成台阶式沟槽，使得在台阶式沟槽中沉积的栅氧化层的顶表面与其周围其他器件(中压、低压器件)区域的栅氧化层的顶表面趋于齐平，进而改善后续栅氧化层上方形成的伪多晶硅栅的高度均匀性，避免

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948441 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111049362.6 (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司