具有带有偶极层的栅极电介质并且具有栅极应力源层的场效应晶体管.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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具有带有偶极层的栅极电介质并且具有栅极应力源层的场效应晶体管.pdf

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描述了具有带有偶极层的栅极电介质并且具有栅极应力源层的场效应晶体管以及制造具有带有偶极层的栅极电介质并且具有栅极应力源层的场效应晶体管的方法。在示例中，一种集成电路结构包括：包括单晶材料的半导体沟道结构。栅极电介质在半导体沟道结构之上，栅极电介质包括在偶极材料层上的高k电介质层，并且偶极材料层与高k电介质层不同。栅极电极具有在高k电介质层上的功函数层，功函数层包括金属。第一源极或漏极结构在栅极电极的第一侧处。第二源极或漏极结构在栅极电极的与第一侧相对的第二侧处。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937100 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202011458528.5 H01L 21/8234 (2006.01) (22)申请日