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一种制造半导体晶片的方法，其中提供硅单晶锭，将锭切割成多个晶体锭块，并且从一个锭块上切割出测试晶片，其中使测试晶片选择性地经受第一热处理方法，并且之后经受第二热处理方法，第二热处理方法包括加热阶段、在保持温度Th下的保持阶段，以及冷却阶段，并且该第二热处理方法在测试晶片上产生径向温度梯度ΔT，然后对半导体材料的晶片进行应力场的分析，以及根据进一步的加工步骤，对从锭块切割出的半导体晶片进行进一步的加工，该进一步的加工步骤是根据测试晶片的分析结果选择的。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113939616 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202080037386.7 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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