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- 2023-04-22 发布于四川
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本公开提供一种三维存储器的制造方法，包括：提供半导体结构；半导体结构包括：基底，堆叠结构，位于堆叠结构和基底间的隔离层，贯穿堆叠结构和隔离层并延伸至基底中的栅线隙结构及存储柱；去除基底，显露栅线隙结构的第一端部和存储柱的第二端部；存储柱包括：沟道层，及环绕沟道层的功能层；去除第一端部，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第一凹陷，剩余栅线隙结构端部与隔离层接触；去除第二端部显露的功能层，形成从隔离层向堆叠结构下凹的第二凹陷，剩余存储柱端部与隔离层接触；利用导电材料覆盖第一凹陷、第二凹陷及显露的隔离层，对
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113937106 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111067677.3
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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