铸锭生长硅晶体的装料方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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铸锭生长硅晶体的装料方法.pdf

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本发明公开了一种铸锭生长硅晶体的装料方法，所述装料方法包括：将硅块装入炉体内，使硅块自炉体的底部向上铺设；在所述硅块的最上方铺设至少两层交叠设置的硅片，每层具有多个阵列分布的硅片，且任意相邻的两层硅片满足以下分布条件：上层各个硅片之间的缝隙与下层各个硅片之间的缝隙错开；盖上炉盖。通过在装料时在硅料的最上层紧密铺设两层以上硅片，硅片采用错位交叠的方式进行铺装，由于硅片的体积膨胀较小，因此可以避免体积膨胀带来的不安全，同时由于硅片的面积较硅块大、更完整，因此形成阻挡屏障，气流不能穿过硅片进入下方硅料

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113943975 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202010681027.7 (22)申请日 2020.07.15 (71)申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司