一种基于IPD技术的低插损高平衡度高定向性耦合器.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种基于IPD技术的低插损高平衡度高定向性耦合器.pdf

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本发明公开一种基于IPD技术的低插损高平衡度高定向性耦合器，包括介质层、金属互连线、金属地板、输入输出口、隔离端口；金属互连线包括n个金属互连线单元，每个金属互连线单元采用对称螺旋结构，其螺旋线包括中间金属线、以及分别位于中间金属线两侧的第一耦合线和第二耦合线；第一耦合线、第二耦合线与中间金属线不接触。本发明通过采用双线耦合结构，可以有效控制耦合器的能量耦合，通过采用双线耦合结构，隔离端口之间的隔离度高，实现耦合器的高定向性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964471 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111272157.6 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人杭州泛利科技有限公司