一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括从下至上依次设置的微黑体阵列和透光区，所述微黑体阵列包括多个呈阵列分布的微黑体像元，每一所述微黑体像元均包括吸收区、相对设置在所述吸收区上、下两侧的正面反射区和背面反射区以及设置在所述正面反射区和背面反射区之间且包围所述吸收区的侧面反射区；所述正面反射区上设有一通光孔，使得近红外光经所述透光区聚合并由所述通光孔射入吸收区后，能在正面反射区、背面反射区和侧面反射区之间来回反射，实现所述吸收区对近红外光的反复吸收

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964214 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111412253.6 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人中国