一种磁存储器及数据选通销毁方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种磁存储器及数据选通销毁方法.pdf

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本发明公开了一种磁存储器及数据选通销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结；所述至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁隧道结对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入销毁层或销毁线，通过销毁层或销毁线设置的销毁装置产生的场效应，至少一个销毁层中的任一销毁层通

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113961983 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111412465.4 (22)申请日 2021.11.25 (71)申请人致真存储（北京）科技有限公司