用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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用于反熔丝电路中的隔离保护电路结构.pdf

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本发明公开一种反熔丝电路中的隔离保护电路结构，属于微电子领域，包括PMOS管P3和P4、NMOS管N2和N3、反相器INV2；反相器INV2的输入端输入控制信号，输出端连接PMOS管P4和NMOS管N3的控制栅；PMOS管P4的漏端连接低压电路节点；PMOS管P3的控制栅连接高压电路节点，漏端连接低压电路节点；NMOS管N2的控制栅连接高压电路节点，漏端接低压电路节点，源端接NMOS管N3的漏端，NMOS管N3的控制栅接反相器INV2的输出端，源端接逻辑电路工作地GNDA。在反熔丝器件编程期间，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113972905 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111285955.2 (22)申请日 2021.11.02 (71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研