沟槽栅MOSFET器件的制造方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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沟槽栅MOSFET器件的制造方法.pdf

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公开了一种沟槽栅MOSFET器件的制造方法，包括：在衬底上形成外延层，衬底包括第一区域和第二区域；在外延层中形成沟槽；在第一区域的沟槽底部和外延层表面中形成第一阱区和体区；在外延层的表面和沟槽中形成第一绝缘层，第一绝缘层围绕沟槽形成空腔；在空腔中形成多晶硅层，去除多晶硅层的一部分暴露空腔的上部；对第一绝缘层回蚀刻，暴露沟槽上部；在沟槽上部侧壁表面和第一绝缘层与多晶硅层的上表面形成栅氧化层；在凹槽中形成栅极导体；在体区中形成源区。本申请的沟槽栅MOSFET器件的制造方法中，在第一区域的沟槽底部形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964038 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111121658.4 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人杭州芯迈半导体技术有限公司