进行溅射处理的装置和方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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进行溅射处理的装置和方法.pdf

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本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板，根据磁体的移动，利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板，能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度，能够控制靶材颗粒的指向性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113981391 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202110805272.9 (22)申请日 2021.07.16 (30)优先权数据 2020-1267